Прикладная оптоэлектроника

Прикладная оптоэлектроника


Руководство дает исчерпывающую информацию по приборам и структурам, новым материалам и интегральной схемотехнике. Рассмотрены физико-технологические, материаловедческие, оптико-физические, схемотехнические, системные аспекты многоуровневого проектирования широкого спектра оптоэлектронных систем сбора данных (оптоэлектронные датчики), их хранения (оптоэлектронные ЗУ), обработки (оптоэлектронные процессоры), передачи (ВОЛПИ) и отображения (индикаторные системы и фотоэлектрические формирователи изображения).
Представлены как традиционные, так и новые области применения оптоэлектронных систем, включая системы связи, транспорт, бытовую технику, силовую технику. Проанализированы проблемы как частных оптоэлектронных технологий, так и оптоэлектроники в целом, включая проблемы радиационно-стойкой, высокотемпературной, высокостабильной и прецизионной оптоэлектроники.
Книги рассчитана на научных работников и разработчиков оптоэлектронных приборов, оптико-электронной аппаратуры.

СОДЕРЖАНИЕ:

Предисловие
Глава 1. Перспективные оптоэлектронные материалы и структуры
Введение
Локальные , структурные и композиционные эффекты в оптоэлектронных средах.
Характеристики локального расположения атомов
Влияние локальных флуктуаций на зонную структуру
Влияние эффектов беспорядка на оптические свойства.
Эффекты зонной структуры
Квантово – размерные эффекты.
Эффекты микронапряжений.
Полупроводниковые твёрдые растворы
Сравнительный анализ свойств соединений А3 В5 и А2 В6.
Твёрдые растворы в системе In – Ga – As - P
Твёрдые растворы в системе In – Ga – Al - P
Твёрдые растворы в системе In – Ga – Al - N
Люминесцентные структуры на основе органических материалов
Полимерные электролюминесцентные структуры.
Оптические свойства.
Приборные характеристики
Сравнительный анализ твердотельных гетеростроструктур и полимерных структур для полимерно – твердотельной оптоэлектроники.
Гибридные полимерно – твердотельные СИД
Гибридные СИД на основе InGaN
Гибридные СИД на основе GaN
Перспективные структуры на основе кремния и углерода.
Структуры на основе кремния на сапфире (КНС).
Структуры на основе кремния на изоляторе (КНИ).
Структуры на основе A2 B6 / SiO2 / Si.
Квантово - размерные структуры на основе кремния.
Структуры на основе аморфного кремния (a-Si:H ).
Алмазы , фуллерены , углеродные нанотрубки.
Проблемы формирования структур интегральной оптоэлектроники.

Глава 2. Оптика и схемотехника оптоэлектронных приборов
Введение
Модификация оптических характеристик
Энергетические и пространственные характеристики
Спектральные характеристики
Цветовые характеристики
Характеристики и режимы функционирования
Характеристики
Оптимизация режимов функционирования
Схемотехника одноэлементных приборов
Схемы включения СИД
Высокочувствительные ФПУ
Сравнение высокочувствительных систем детектирования
Системы счёта одиночных фотонов
Схемотехника оптронов
Типы и характеристики оптронов
Оптроны в аналоговых схемах
Оптроны в цифровых схемах
Схемотехника многоэлементных оптоэлектронных приборов
Схемы параллельного управления
Схемы мультиплексного управления
Схемы мультиплексного управления с памятью

Глава 3. Интегральная оптоэлектроника
Введение
Гибридные оптоэлектронные ИС
Переключательные микросхемы
Оптоэлектронные реле
Монолитные многоэлементные приборы
Многоэлементные светоизлучающие приборы
Фотоэлектрические интегральные схемы
Интегральные оптоэлектронные приборы
Интегральные излучающие терминалы
Интегральные фотоприёмные терминалы
Физико-технологические ограничения интегральных приёмо-передающих модулей
Микрооптика для оптических межсоединений
Концепции архитектуры
Классификация пассивных микрооптических элементов
Микромеханические элементы
Примеры микрооптических соединений
Оптоэлектронные процессоры и интерфейсы
Архитектура и особенности проектирования
Анализ функциональных возможностей и достижимого уровня параметров
Конструкционные и технологические аспекты

Глава 4. Оптоэлектронные датчики.
Введение.
Классификация оптоэлектронных датчиков.
Датчики оптронного типа с открытым каналом.
Волоконно – оптические датчики.
Интегрально – оптические датчики.
Датчики физических величин.
Датчики температуры.
Датчики электрических и магнитных полей.
Интегрально – оптические датчики.
Колориметрические датчики.
Датчики ион6изирующих излучений.
Прецизионные оптоэлектронные сенсорные системы.
Системы для аналитической спектроскопии.
Многоэлементные сенсоры.
Оптоэлектронные датчики в системах химического, биохимического и медицинского анализа.
Проблемы разработки оптоэлектронных датчиков.
Спектрофотометрические датчики для прикладной спектроскопии.
Волоконно – оптические датчики.
Датчики оптронного типа.
Интегрально – оптические датчики.
Структуры с фотонной запрещённой зоной ( фотонные кристаллы ).
Опорные источники излучения.

Глава 5. Оптоэлектронные системы.
Введение.
Системы оптической связи.
Волоконно – оптические линии передачи информации.
Оптические волокна на принципе фотонного кристалла.
Системы оптической связи с открытым каналом.
Оптоэлектронные системы записи , хранения и воспроизведения информации.
Оптоэлектронные запоминающие устройства на фоточувствительных носителях.
Фоторегистраторы.
Системы на основе интегрально – оптических элементов и ОБУ.
Системы визуального отображения информации .
Классификация систем визуального отображения информации.
Типы оптоэлектронных индикаторов.
Вакуумно – люминесцентные индикаторы.
Газоразрядные индикаторы.
Электролюминесцентные индикаторы.
Жидкокристаллические индикаторы.
Индикаторы на основе микроэлектромеханических систем (MEMS).
Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы.
Индикаторы на основе органических электролюминесцентных структур (OLED).
Проблемы разработки стереоскопических систем отображения.

Глава 6. Фотоэлектрические системы формирования изображений.
Введение.
Тепловизионные системы.
Принципы функционирования
Характеристики и тенденции развития
ПЗС – системы.
Принципы функционирования
Характеристики и тенденции развития.
КМОП – формирователи изображения
Принципы функционирования
Характеристики и тенденции развития.
Сравнительный анализ ПЗС – и КМОП – систем.
Проблемные вопросы формирования изображений.

Глава 7. Перспективные области применения
Введение
Системы связи.
Транспортные системы
Наземные системы.
Авиация.
Космические системы
Силовая оптоэлектроника.
Приборы силовой оптоэлектроники.
Новое поколение систем силовой техники.

Глава 8. Проблемные вопросы использования оптоэлектронных приборов в экстремальных условиях.
Введение.
Проблемы радиационно – стойкой оптоэлектроники.
Физические аспекты радиационного воздействия.
Влияние ионизирующих излучений на характеристики приборов.
Проблемы высокостабильной оптоэлектроники.
Физические аспекты деградационных явлений.
Ресурсные характеристики оптоэлектронных приборов.
Проблемы высокотемпературной оптоэлектроники.
Физические аспекты температурных эффектов.
Влияние температурных эффектов на характеристики приборов.
Проблемы прецизионной оптоэлектроники.
Физико – технологический подход.
Схемотехнический подход.
Статистические аспекты.


Автор: Ермаков О.
Издательство: Техносфера
Серия: Мир электроники
Год издания: 2004
Страниц: 416
Формат: DJVU
Размер: 7.12 Mb

Внимание! У Вас нет прав для просмотра скрытого текста.

0 комментариев

Ваше имя: *
Ваш e-mail: *
Войти через
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении:
© 2010-2017 Все права соблюдены.